- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
- Operating Temperature：
-
- Power - Max：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Supplier Device Package：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
7 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC Space | GAN FET HEMT200V 4A... |
41
In-stock
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onsemi | MOSFET 2N-CH 12V 6A... |
35,000
In-stock
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | 20V COMMON-DRAIN D... |
35,000
In-stock
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | 20V COMMON-DRAIN D... |
35,000
In-stock
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Comchip Technology | MOSFET DUAL N-CH ... |
35,000
In-stock
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Comchip Technology | MOSFET DUAL N-CH ... |
35,000
In-stock
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Comchip Technology | MOSFET DUAL N-CH ... |
35,000
In-stock
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