- Hersteller：
-
- onsemi (1)
- FET Feature：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
- Operating Temperature：
-
- Package / Case：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Supplier Device Package：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
5 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 8WLCS... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V PO... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Texas Instruments | POWER FIELD-EFFE... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Fairchild Semiconductor | POWER FIELD-EFFE... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen |
