- Hersteller：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- FET Feature：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
- Operating Temperature：
-
- Package / Case：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
5 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL LOW R-ON MO... |
11,167
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.6... |
9,021
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.6... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.6... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.6... |
35,000
In-stock
|
Jetzt kaufen Angebot einholen |
