- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Drain to Source Voltage (Vdss)：
-
- FET Feature：
-
- FET Type：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
- Mounting Type：
-
- Operating Temperature：
-
- Package / Case：
-
- Power - Max：
-
- Product Status：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
15 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC Space | GAN FET HEMT200V 4A... |
41
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
6
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
35,000
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
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Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 2.3... |
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Nexperia | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 8S... |
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ROHM Semiconductor | 4V DRIVE NCH+NCH M... |
35,000
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NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 8S... |
35,000
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