- FET Feature：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
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- Operating Temperature：
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- Package / Case：
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- Power - Max：
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- Product Status：
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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26 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
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Fairchild Semiconductor | P-CHANNEL POWER M... |
292,486
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Fairchild Semiconductor | SMALL SIGNAL P-CH... |
3,584
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onsemi | MOSFET 2P-CH 30V 2.9... |
35,000
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onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
35,000
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Vishay | MOSFET 2P-CH 30V 2.9... |
35,000
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onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 2.9... |
35,000
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9... |
35,000
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Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 2.9... |
35,000
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Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
35,000
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onsemi | MOSFET 2P-CH 60V 2.9... |
35,000
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9... |
35,000
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NXP Semiconductors | NOW NEXPERIA PMD... |
35,000
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Fairchild Semiconductor | POWER FIELD-EFFE... |
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NXP Semiconductors | NOW NEXPERIA PMD... |
35,000
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onsemi | MOSFET 2P-CH 30V 2.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
35,000
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
35,000
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onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 2.9... |
35,000
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Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 2.9... |
35,000
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onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
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