- FET Feature：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
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- Package / Case：
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- Product Status：
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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15 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
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onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.1... |
2,750
In-stock
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Fairchild Semiconductor | POWER FIELD-EFFE... |
92,860
In-stock
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Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 4N-CH 100V 3.... |
35,000
In-stock
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Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
35,000
In-stock
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Fairchild Semiconductor | N-CHANNEL POWER M... |
35,000
In-stock
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Fairchild Semiconductor | POWER FIELD-EFFE... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 3.1... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
35,000
In-stock
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Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 3.1... |
35,000
In-stock
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Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 3.1... |
35,000
In-stock
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Vishay | MOSFET 2P-CH 12V 3.1... |
35,000
In-stock
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Vishay | MOSFET 2P-CH 12V 3.1... |
35,000
In-stock
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NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.1... |
2,880
In-stock
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