- Hersteller：
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- onsemi (3)
- FET Feature：
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- FET Type：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
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- Operating Temperature：
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- Package / Case：
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- Product Status：
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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- Vgs(th) (Max) @ Id：
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15 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
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Infineon Technologies | P-CHANNEL POWER M... |
20,000
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
1,370
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 4.7... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 2N-CH 80V 4.7... |
35,000
In-stock
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 4.7... |
35,000
In-stock
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onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
35,000
In-stock
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 40V 4.7... |
35,000
In-stock
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH DUAL ... |
35,000
In-stock
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