- FET Feature：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
- Package / Case：
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- Power - Max：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
4 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC Space | GAN FET HEMT200V 4A... |
41
In-stock
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Micro Commercial Components (MCC) | DUAL N-CHANNEL MO... |
9,514
In-stock
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Vishay | MOSFET N/P-CH 20V 4... |
35,000
In-stock
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Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 4A... |
3,000
In-stock
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