- Hersteller：
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- PANJIT (1)
- FET Feature：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
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- Operating Temperature：
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- Package / Case：
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- Power - Max：
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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- Vgs(th) (Max) @ Id：
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5 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL SIGNAL MOS... |
20,968
In-stock
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PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
35,000
In-stock
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
35,000
In-stock
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2 N-CHANNE... |
35,000
In-stock
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
35,000
In-stock
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