- Hersteller：
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- Vishay (1)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
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- FET Feature：
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- FET Type：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Operating Temperature：
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- Package / Case：
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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- Vgs(th) (Max) @ Id：
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4 Datensätze
| Bild | Teil | Hersteller | Beschreibung | Lagerbestand | Aktion | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N/P-CH 30V 4... |
35,000
In-stock
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Angebot einholen | ||
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8A... |
35,000
In-stock
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Angebot einholen | ||
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ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
35,000
In-stock
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Angebot einholen | ||
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Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 4.5... |
35,000
In-stock
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Angebot einholen |
