Capacitance @ Vr, F:
Current - Reverse Leakage @ Vr:
Diode Type:
Operating Temperature - Junction:
Reverse Recovery Time (trr):
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
Изображение Деталь Производитель Описание Stock Действие
1SS416,L3M Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
DIODE SCHOTTKY 30...
RFQ
87,373
In-stock
Купить сейчас Получить предложение
1SS427,L3M Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
DIODE GEN PURP 80V...
RFQ
46,893
In-stock
Купить сейчас Получить предложение
1 / 1 Page, 2 Records